三星与SK海力士瞄准2028年高数值孔径DRAM量产

据报道，三星与SK海力士计划在2028年量产采用高数值孔径（High-NA）EUV技术的DRAM，以推进下一代存储工艺。这显示头部厂商在先进制程上的长期竞争加剧，若SK海力士如期推进，有望巩固技术领先并利好长期盈利预期，但短期对股价影响有限。

影响判断由模型基于公开报道给出，仅为参考，不构成投资建议。