SK海力士拟2028年前将High-NA EUV引入DRAM量产

据报道，SK海力士计划在2028年前将High-NA EUV光刻设备引入DRAM量产，以推进更先进制程并巩固其在HBM等高附加值存储领域的领先地位。此举意味着资本开支与技术门槛进一步抬升，若执行顺利，有助于公司在下一代存储竞赛中保持优势，对中长期股价构成正面支撑，但短期设备投资与折旧压力仍需观察。

影响判断由模型基于公开报道给出，仅为参考，不构成投资建议。