中关注2026-09-15短期 · 偏利好中长期 · 偏利好
三星与SK海力士据称将于2028年量产10nm以下0a DRAM
DIGITIMES报道称,三星与SK海力士预计在2028年量产10nm以下的0a世代DRAM。这显示两家韩厂在先进制程微缩上保持领先,有助于巩固其在DRAM市场的成本与技术优势,对SK海力士中长期竞争力与盈利前景构成利好,短期则强化技术领先叙事。
影响判断由模型基于公开报道给出,仅为参考,不构成投资建议。
DIGITIMES报道称,三星与SK海力士预计在2028年量产10nm以下的0a世代DRAM。这显示两家韩厂在先进制程微缩上保持领先,有助于巩固其在DRAM市场的成本与技术优势,对SK海力士中长期竞争力与盈利前景构成利好,短期则强化技术领先叙事。
影响判断由模型基于公开报道给出,仅为参考,不构成投资建议。
三星与SK海力士在2028年次10nm DRAM的单元设计上走向不同路线,技术路径出现分化。设计选择将影响成本、良率与性能竞争力,若海力士路线更优,有望巩固其在先进DRAM与HBM领域的优势。
DIGITIMES报道三星与SK海力士计划2028年量产10纳米以下0a DRAM,并同步导入High-NA EUV设备。若如期推进,将巩固海力士在先进制程的竞争力,但资本开支上升或压制短期利润率,属中长期技术利好。