中关注2026-09-15短期 · 中性中长期 · 偏利好
台积电2030年采用High NA EUV,三星与SK海力士2028年量产
报道称台积电计划2030年采用High NA EUV光刻技术,而三星和SK海力士将于2028年开始量产。这表明韩国芯片制造商在先进制程上可能领先,对SK海力士长期技术竞争力构成利好。
影响判断由模型基于公开报道给出,仅为参考,不构成投资建议。
报道称台积电计划2030年采用High NA EUV光刻技术,而三星和SK海力士将于2028年开始量产。这表明韩国芯片制造商在先进制程上可能领先,对SK海力士长期技术竞争力构成利好。
影响判断由模型基于公开报道给出,仅为参考,不构成投资建议。
报道称台积电计划2030年采用High NA EUV光刻技术,而三星和SK海力士预计2028年即开始量产。若海力士率先导入下一代光刻,有望在存储微缩竞赛中占得先机,但资本开支压力也将显著上升。