中韩存储差距缩小：NAND一年、DRAM两年、HBM仍停滞

报道称中国存储厂商与韩国的技术差距已缩小至NAND约一年、DRAM约两年，HBM领域仍停滞。差距收窄意味着三星与SK海力士在通用存储面临更激烈的价格与份额竞争，中长期利润率承压，但HBM领先优势暂未受威胁。

影响判断由模型基于公开报道给出，仅为参考，不构成投资建议。