DRAM迈向3D架构，三星与SK海力士领跑

有报道指出DRAM正从传统2D平面结构向3D堆叠架构演进，三星电子与SK海力士在技术研发上处于领先地位。3D DRAM可提升存储密度并降低功耗，被视为延续摩尔定律的关键路径。若SK海力士能率先量产，将巩固其在HBM等高端存储市场的优势，对长期股价构成支撑，但短期技术路线尚未定型，影响有限。

影响判断由模型基于公开报道给出，仅为参考，不构成投资建议。