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长鑫存储推进G5 DRAM并谋划进军NAND
中国长鑫存储（CXMT）在G5代DRAM上取得进展，并考虑进入NAND闪存领域。这意味着中国厂商在通用存储上的追赶速度加快，可能加剧中低端DRAM与NAND的供给竞争，压缩SK海力士传统产品的价格与利润空间，因此对股价偏负面。
影响判断由模型基于公开报道给出，仅为参考，不构成投资建议。
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- The Korea Herald · 09-22 12:47 KST
中国长鑫存储（CXMT）在G5代DRAM上取得进展，并计划下一步进军NAND闪存领域，显示中国存储厂商技术追赶加速。对SK海力士而言，这意味着中长期在DRAM与NAND两端面临更激烈的中国竞争，或压制估值溢价，但短期供给格局与制程差距仍构成缓冲。