SK海力士瞄准2029年3D DRAM，带宽达HBM3的115倍

SK海力士公布下一代3D DRAM技术路线图，目标2029年量产，带宽达到HBM3的115倍。该技术有望突破现有存储墙瓶颈，巩固其在AI存储领域的领先地位，对长期股价构成正面催化。

影响判断由模型基于公开报道给出，仅为参考，不构成投资建议。