中关注2026-09-29短期 · 偏利空中长期 · 偏利空
长鑫存储投资349亿元扩产DRAM，加速追赶三星与SK海力士
中国长鑫存储计划投入349亿元人民币用于DRAM研发与后段产能建设，加快追赶三星和SK海力士。中国厂商扩产可能加剧中长期供给竞争并压制存储价格，对SK海力士构成潜在利空。
影响判断由模型基于公开报道给出，仅为参考，不构成投资建议。
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- finance.biggo.com · 09-29 15:26 KST
中国长鑫存储计划投入349亿元人民币用于DRAM研发与后段封测设施，加速追赶三星与SK海力士。此举中长期或加剧通用DRAM供给竞争，压制价格周期预期，但短期对海力士HBM主导地位影响有限，股价冲击偏中性。