HBM明年将消耗全球DRAM晶圆产能的30%

据朝鲜日报报道，高带宽内存（HBM）预计明年将消耗全球DRAM晶圆产能的30%，凸显AI存储需求对传统DRAM供给的挤压。对SK海力士而言，HBM产能占比提升有望支撑产品均价和利润率，但可能加剧通用DRAM供应紧张，影响其定价策略与客户结构。

影响判断由模型基于公开报道给出，仅为参考，不构成投资建议。