中关注2026-10-20短期 · 偏利空中长期 · 偏利空
长鑫存储挑战三星与SK海力士，誓言引领DRAM微缩
中国长鑫存储公开表示将在DRAM制程微缩上追赶并领先三星与SK海力士，凸显中国存储厂商技术追赶加速。若其量产与良率提升，将加剧DRAM供给竞争，对SK海力士中长期定价与份额构成压力。
影响判断由模型基于公开报道给出，仅为参考，不构成投资建议。
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- 미주중앙일보 · 10-20 12:12 KST
中国长鑫存储向三星和SK海力士发起挑战，宣称将引领DRAM超微细工艺。若其技术追赶加速，或加剧存储芯片竞争与价格压力，对海力士中长期盈利预期构成潜在利空。
- 鉅亨號 · 10-20 05:48 KST
报道称中国DRAM产能预计将激增31%，或加剧全球存储芯片供给竞争。对SK海力士而言，中长期价格与市场份额面临潜在压力，但短期影响取决于实际投产节奏与产品结构，需关注供需拐点信号。