中关注2026-10-28短期 · 中性中长期 · 偏利好
SK海力士押注EUV推进6F² DRAM，应对CXMT 4F²竞争
Digitimes报道，SK海力士计划利用EUV光刻技术推进6F² DRAM工艺，以应对中国长鑫存储（CXMT）在4F² DRAM上的推进。此举旨在保持技术领先和成本竞争力。若成功，有助于公司在DRAM市场维持份额和利润率，但EUV投资较大且技术难度高，中长期影响偏正面但需关注执行风险。
影响判断由模型基于公开报道给出，仅为参考，不构成投资建议。
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- digitimes · 10-28 13:22 KST
SK海力士押注EUV工艺延长6F² DRAM生命周期，以应对长鑫存储推进4F²技术。技术路线竞争关系长期成本与份额，若进展顺利有助巩固竞争力，对股价影响偏中性。
- 연합인포맥스 · 10-28 10:21 KST
SK海力士表示将最大限度利用现有6F² DRAM结构，4F²技术列入后续路线图，显示其技术演进节奏稳健，对长期成本与竞争力影响值得关注。
- 연합인포맥스 · 10-28 10:06 KST
SK海力士表示将最大限度利用现有6F² DRAM结构，之后转向4F²或3D DRAM技术。该路线图显示其成本与微缩策略稳健，属技术规划类资讯，对短期股价影响中性。