SK海力士推进EUV 6F² DRAM微缩，保留4F²与3D DRAM路线

TrendForce报道称，SK海力士正推进基于EUV的6F² DRAM单元微缩，同时保留4F²与3D DRAM等下一代技术路线。此举意在巩固其在先进DRAM制程上的成本与密度优势，应对三星与美光的竞争。技术路线多元化有助于降低单一架构风险，但研发与资本开支压力仍在，对股价短期影响有限、中长期偏正面。

影响判断由模型基于公开报道给出，仅为参考，不构成投资建议。