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SK海力士以4F²无电容内存应对CXMT竞争

SK海力士公开4F²无电容内存技术路线,被视为对中国CXMT推进HBM3E的正面回应。该技术若量产可拉开与追赶者的技术代差,巩固其在高端存储的定价权,短期提振市场对其技术领先的信心,中长期取决于量产进度与客户导入。

影响判断由模型基于公开报道给出,仅为参考,不构成投资建议。

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  • 이코노미트리뷴 · 10-29 22:54 KST

    SK海力士据报拟以4F²无电容DRAM技术拉开与中国CXMT的差距,属下一代工艺布局。若技术落地可巩固高端DRAM定价权,短期对股价影响有限,但强化长期竞争壁垒预期。