三星與SK海力士瞄準2028年高數值孔徑DRAM量產

據報道，三星與SK海力士計劃在2028年量產採用高數值孔徑（High-NA）EUV技術的DRAM，以推進下一代存儲工藝。這顯示頭部廠商在先進製程上的長期競爭加劇，若SK海力士如期推進，有望鞏固技術領先並利好長期盈利預期，但短期對股價影響有限。

影響判斷由模型依據公開報導給出，僅供參考，不構成投資建議。