SK海力士擬2028年前將High-NA EUV導入DRAM量產

據報導，SK海力士計劃在2028年前將High-NA EUV微影設備導入DRAM量產，以推進更先進製程並鞏固其在HBM等高附加價值記憶體領域的領先地位。此舉意味資本開支與技術門檻進一步抬升，若執行順利，有助公司在下一代記憶體競賽中保持優勢，對中長期股價構成正面支撐，但短期設備投資與折舊壓力仍需觀察。

影響判斷由模型依據公開報導給出，僅供參考，不構成投資建議。