中韓記憶體差距縮小：NAND一年、DRAM兩年、HBM仍停滯

報導稱中國記憶體廠商與韓國的技術差距已縮小至NAND約一年、DRAM約兩年，HBM領域仍停滯。差距收窄意味著三星與SK海力士在通用記憶體面臨更激烈的價格與份額競爭，中長期利潤率承壓，但HBM領先優勢暫未受威脅。

影響判斷由模型依據公開報導給出，僅供參考，不構成投資建議。