DRAM邁向3D架構，三星與SK海力士領跑

有報導指出DRAM正從傳統2D平面結構向3D堆疊架構演進，三星電子與SK海力士在技術研發上處於領先地位。3D DRAM可提升存儲密度並降低功耗，被視為延續摩爾定律的關鍵路徑。若SK海力士能率先量產，將鞏固其在HBM等高端存儲市場的優勢，對長期股價構成支撐，但短期技術路線尚未定型，影響有限。

影響判斷由模型依據公開報導給出，僅供參考，不構成投資建議。