中關注2026-09-22短期 · 偏利空中長期 · 偏利空
長鑫存儲推進G5 DRAM並謀劃進軍NAND
中國長鑫存儲(CXMT)在G5世代DRAM上取得進展,並考慮進入NAND快閃領域。這意味著中國廠商在通用記憶體的追趕速度加快,可能加劇中低階DRAM與NAND的供給競爭,壓縮SK海力士傳統產品的價格與利潤空間,因此對股價偏負面。
影響判斷由模型依據公開報導給出,僅供參考,不構成投資建議。
中國長鑫存儲(CXMT)在G5世代DRAM上取得進展,並考慮進入NAND快閃領域。這意味著中國廠商在通用記憶體的追趕速度加快,可能加劇中低階DRAM與NAND的供給競爭,壓縮SK海力士傳統產品的價格與利潤空間,因此對股價偏負面。
影響判斷由模型依據公開報導給出,僅供參考,不構成投資建議。
中國長鑫存儲(CXMT)在G5世代DRAM取得進展,並計劃下一步進軍NAND快閃記憶體領域,顯示中國記憶體廠商技術追趕加速。對SK海力士而言,這意味著中長期在DRAM與NAND兩端面臨更激烈的中國競爭,或壓制估值溢價,但短期供給格局與製程差距仍構成緩衝。