中關注2026-09-29短期 · 偏利空中長期 · 偏利空
長鑫存儲投資349億元擴產DRAM,加速追趕三星與SK海力士
中國長鑫存儲計劃投入349億元人民幣用於DRAM研發與後段產能建設,加快追趕三星和SK海力士。中國廠商擴產可能加劇中長期供給競爭並壓制存儲價格,對SK海力士構成潛在利空。
影響判斷由模型依據公開報導給出,僅供參考,不構成投資建議。
中國長鑫存儲計劃投入349億元人民幣用於DRAM研發與後段產能建設,加快追趕三星和SK海力士。中國廠商擴產可能加劇中長期供給競爭並壓制存儲價格,對SK海力士構成潛在利空。
影響判斷由模型依據公開報導給出,僅供參考,不構成投資建議。
中國長鑫存儲上市兩個月後宣布349億元人民幣擴產,並將超額募資過半投向HBM追趕。此舉加劇存儲長期競爭,但短期難撼動SK海力士HBM領先地位,對股價影響偏中性。
中國長鑫存儲計劃投入349億元人民幣用於DRAM研發與後段封測設施,加速追趕三星與SK海力士。此舉中長期或加劇通用DRAM供給競爭,壓制價格週期預期,但短期對海力士HBM主導地位影響有限,股價衝擊偏中性。