中關注2026-10-20短期 · 偏利空中長期 · 偏利空
長鑫存儲挑戰三星與SK海力士，誓言引領DRAM微縮
中國長鑫存儲公開表示將在DRAM製程微縮上追趕並領先三星與SK海力士，凸顯中國記憶體廠商技術追趕加速。若其量產與良率提升，將加劇DRAM供給競爭，對SK海力士中長期定價與份額構成壓力。
影響判斷由模型依據公開報導給出，僅供參考，不構成投資建議。
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- 미주중앙일보 · 10-20 12:12 KST
中國長鑫存儲向三星和SK海力士發起挑戰，宣稱將引領DRAM超微細工藝。若其技術追趕加速，或加劇存儲晶片競爭與價格壓力，對海力士中長期盈利預期構成潛在利空。
- 鉅亨號 · 10-20 05:48 KST
報導稱中國DRAM產能預計將激增31%，或加劇全球記憶體晶片供給競爭。對SK海力士而言，中長期價格與市占率面臨潛在壓力，但短期影響取決於實際投產節奏與產品結構，需關注供需拐點訊號。