中關注2026-10-28短期 · 中性中長期 · 偏利多
SK海力士押注EUV推進6F² DRAM,應對CXMT 4F²競爭
Digitimes報導,SK海力士計劃利用EUV微影技術推進6F² DRAM製程,以應對中國長鑫存儲(CXMT)在4F² DRAM上的推進。此舉旨在保持技術領先和成本競爭力。若成功,有助於公司在DRAM市場維持份額和利潤率,但EUV投資較大且技術難度高,中長期影響偏正面但需關注執行風險。
影響判斷由模型依據公開報導給出,僅供參考,不構成投資建議。
Digitimes報導,SK海力士計劃利用EUV微影技術推進6F² DRAM製程,以應對中國長鑫存儲(CXMT)在4F² DRAM上的推進。此舉旨在保持技術領先和成本競爭力。若成功,有助於公司在DRAM市場維持份額和利潤率,但EUV投資較大且技術難度高,中長期影響偏正面但需關注執行風險。
影響判斷由模型依據公開報導給出,僅供參考,不構成投資建議。
SK海力士押注EUV製程延長6F² DRAM生命週期,以應對長鑫存儲推進4F²技術。技術路線競爭關係長期成本與市佔,若進展順利有助鞏固競爭力,對股價影響偏中性。
SK海力士表示將最大限度利用現有6F² DRAM結構,4F²技術列入後續路線圖,顯示其技術演進節奏穩健,對長期成本與競爭力影響值得關注。
SK海力士表示將最大限度利用現有6F² DRAM結構,之後轉向4F²或3D DRAM技術。該路線圖顯示其成本與微縮策略穩健,屬技術規劃類資訊,對短期股價影響中性。