SK海力士推進EUV 6F² DRAM微縮，保留4F²與3D DRAM路線

TrendForce報導稱，SK海力士正推進基於EUV的6F² DRAM單元微縮，同時保留4F²與3D DRAM等下一代技術路線。此舉意在鞏固其在先進DRAM製程上的成本與密度優勢，應對三星與美光的競爭。技術路線多元化有助於降低單一架構風險，但研發與資本開支壓力仍在，對股價短期影響有限、中長期偏正面。

影響判斷由模型依據公開報導給出，僅供參考，不構成投資建議。