中關注2026-10-29短期 · 偏利多中長期 · 偏利多
SK海力士以4F²無電容記憶體應對CXMT競爭
SK海力士公開4F²無電容記憶體技術路線，被視為對中國CXMT推進HBM3E的正面回應。該技術若量產可拉開與追趕者的技術代差，鞏固其在高端記憶體的定價權，短期提振市場對其技術領先的信心，中長期取決於量產進度與客戶導入。
影響判斷由模型依據公開報導給出，僅供參考，不構成投資建議。
相關報導 · 相關報導 1 篇
- 이코노미트리뷴 · 10-29 22:54 KST
SK海力士據報擬以4F²無電容DRAM技術拉開與中國CXMT的差距，屬下一代製程布局。若技術落地可鞏固高階DRAM定價權，短期對股價影響有限，但強化長期競爭壁壘預期。